tin tức công ty về Áp dụng UVLED trong xử lý mở cục bộ lớp thụ động tế bào PERC

Ứng dụng của UVLED trong xử lý mở cục bộ lớp thụ động mặt sau tế bào PERC

  Khi công nghệ quang điện tiếp tục phát triển, các tế bào PERC, với hiệu suất chuyển đổi quang điện cao, đã dần trở thành xu hướng chủ đạo trên thị trường. Một lợi thế quan trọng của tế bào PERC nằm ở lớp thụ động mặt sau, một cấu trúc đặc biệt có hiệu quả phản xạ ánh sáng, làm tăng lượng ánh sáng được thu nhận và do đó cải thiện hiệu suất phát điện của tế bào. Tuy nhiên, để đạt được sự kết nối điện giữa các điện cực, cần phải mở các lỗ cục bộ trong lớp thụ động mặt sau. Các phương pháp truyền thống thường gặp phải các vấn đề như độ chính xác không đủ, hiệu quả thấp và khả năng gây hư hại cho tế bào.

  Lớp thụ động ở mặt sau của tế bào PERC chủ yếu bao gồm các vật liệu như nhôm oxit (Al₂O₃) và silicon nitride (SiN). Các vật liệu này có khả năng phản xạ ánh sáng và thụ động tuyệt vời, giúp cải thiện dòng điện ngắn mạch và điện áp hở mạch của tế bào. Tuy nhiên, để đạt được sự kết nối điện giữa các tế bào, cần phải mở các cửa sổ nhỏ một cách chính xác trong lớp thụ động để các điện cực có thể xuyên qua lớp thụ động và tiếp xúc với đế silicon. Mặc dù các phương pháp truyền thống như khắc laser và khắc hóa học có thể đạt được mục tiêu này, nhưng chúng có một số hạn chế khó khắc phục trong các ứng dụng thực tế.

  Ánh sáng cực tím năng lượng cao với bước sóng 365-405nm phù hợp với vật liệu nhạy sáng trên lớp thụ động mặt sau của tế bào PERC, cho phép loại bỏ cục bộ lớp thụ động thông qua phản ứng quang hóa. Trong thực tế, việc kiểm soát chính xác cường độ, thời gian và kích thước điểm của nguồn sáng diện tích UVLED cho phép độ chính xác khẩu độ ở cấp độ micron, đảm bảo rằng kích thước và vị trí của cửa sổ điện cực đáp ứng các yêu cầu thiết kế.

  Nguồn sáng diện tích UVLED tạo ra nhiệt cực thấp trong quá trình hoạt động. So với các phương pháp đóng rắn nhiệt truyền thống, quá trình đóng rắn hầu như không gây ra ứng suất nhiệt cho các tế bào. Điều này có nghĩa là trong quá trình mở cục bộ lớp thụ động mặt sau, đế silicon và các lớp chức năng khác của tế bào PERC được bảo vệ khỏi hư hại do nhiệt, do đó duy trì hiệu suất chuyển đổi quang điện và độ ổn định lâu dài của tế bào. Điều này có ý nghĩa rất lớn trong việc cải thiện hiệu suất tổng thể và tuổi thọ của các mô-đun quang điện.

  Nguồn sáng diện tích UVLED cung cấp khả năng đóng rắn nhanh chóng, cho phép hoàn thành việc mở cục bộ trong lớp thụ động trong một khoảng thời gian ngắn. So với các quy trình khắc laser và khắc hóa học truyền thống, nguồn sáng diện tích UVLED cung cấp tốc độ đóng rắn nhanh hơn, rút ngắn đáng kể chu kỳ sản xuất và tăng thời gian chu kỳ và năng suất của dây chuyền sản xuất. Điều này cho phép các công ty quang điện sản xuất nhiều tế bào hơn trong cùng một khung thời gian sản xuất, giúp đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng của thị trường đối với các sản phẩm quang điện hiệu suất cao.

  Với sự tiến bộ liên tục của công nghệ quang điện, các tế bào PERC cũng đang phát triển và các công nghệ tế bào quang điện hiệu suất cao thế hệ mới như tế bào TOPCon đang dần xuất hiện. Các công nghệ mới này đã đặt ra các yêu cầu cao hơn về việc mở cục bộ lớp thụ động mặt sau về cấu trúc và quy trình của tế bào. Nguồn sáng diện tích UVLED dự kiến sẽ tiếp tục đóng một vai trò quan trọng trong các lĩnh vực mới nổi này với hiệu suất kỹ thuật tuyệt vời và khả năng tùy biến linh hoạt.